
Sposób na energię słoneczną
19 czerwca 2008, 10:44Na podstawie podpisanej właśnie umowy IBM i Tokyo Ohka Kogyo będą pracowały nad procesem technologicznym, materiałami i narzędziami do produkcji wydajnych i tanich cienkich ogniw słonecznych typu CIGS (miedź-ind-gal-diselen).

Szybkość z powolności. Uczeni zbadali najszybszy i najbardziej wydajny półprzewodnik
27 października 2023, 09:53Doktorant Jack Tulyag i jego zespół z Columbia University opisali na łamach Science najszybszy i najbardziej wydajny półprzewodnik, Re6Se8Cl2. Z badań wynika, że ekscytony w Re6Se8Cl2 nie rozpraszają się w kontakcie z fononami, ale łączą się z nimi, tworząc nowe kwazicząstki nazwane akustycznymi ekscytonami-polaronami. Polarony występują w wielu materiałach, ale te w Re6Se8Cl2 mają specjalną właściwość, są zdolne do transportu balistycznego, czyli bez rozpraszania.

Intel zyskał kolejnego klienta
22 lutego 2012, 09:19Firma Tabula potwierdziła, że Intel będzie produkował na jej zlecenie kości 3PLD, czyli programowalne układy logiczne. Koncern wykorzysta przy tym technologię 22 nanometrów oraz trójbramkowe tranzystory 3D.

"Optyczny zamek" zabezpieczy DVD
11 maja 2007, 11:16Firma NXP Semiconductor opracowała technologię, która może rozwiązać problem kradzieży płyt DVD, do których dochodzi w drodze pomiędzy tłocznią a sklepem. Technologia metek radiowych RFID w połączeniu z RFA (Radio Frequency Activation) firmy Kestrel pozwala na dokonanie w tłoczni dezaktywacji nagranej płyty DVD.

Qualcomm nie zgodzi się na przejęcie przez Broadcom?
13 listopada 2017, 10:27W mediach pojawiły się nieoficjalne informacje, z których wynika, że Qualcomm odrzuci ofertę Broadcoma, który zaoferował 130 miliardów dolarów za przejęcie Qualcomma. Zarząd przedsiębiorstwa miał uznać, że oferowana cena jest zbyt niska

Google atakuje IBM-a
15 lipca 2009, 10:29Google po raz pierwszy otwarcie konkuruje z IBM-em, próbując wykraść Błękitnemu Gigantowi klientów. Wyszukiwarkowy koncern udostępnił zestaw narzędzi, które ułatwiają klientom biznesowym migrację z Lotus Notes do Google Apps Premier.

Polska firma laureatem prestiżowej nagrody
15 marca 2012, 13:14Polska firma Ammono została laureatem nagrody Compound Semiconductor Industry Awards 2012. Przedsiębiorstwo wyróżniono za najbardziej przełomowy produkt półprzewodnikowy.
Rynkowy debiut krzemowej fotoniki
17 sierpnia 2007, 11:49Na rynku zadebiutowało pierwsze w historii krzemowe urządzenie wykorzystujące fotonikę. Dotychczas jedynie w naukowych laboratoriach udało się wykorzystać krzem do przesyłania sygnałów za pomocą światła.

Chińczycy potrafią wyprodukować 32-warstwowy 3D NAND
15 listopada 2017, 11:44Chiński przemysł IT wciąż jest mniej zaawansowany niż zagraniczni konkurenci, ale jego przedstawiciele nie spoczywają na laurach. Firma Yangtze River Storage Technology, należąca do Tsinghua Unigroup poinformowała o stworzeniu 32-warstwowego układu 3D NAND
FeDRAM - nowy pomysł na pamięci
13 sierpnia 2009, 11:47Naukowcy z Yale University i badacze z Semiconductor Research Corp. (SRC) ogłosili, że pamięci ferroelektryczne lepiej nadają się do zastąpienia obecnych układów DRAM niż pamięci flash. Już przed kilkoma miesiącami zaprezentowali oni eksperymentalny ferroelektryczny tranzystor dla układów FeDRAM.